условия кристаллизации

в идеальных условиях — under ideal circumstances

выполнять условие — meet condition, fulfill condition

налагать условия — impose conditions

нарушать условие — violate condition

определять условия — specify conditions

отвечать условию — meet condition

по условиям задачи — under the conditions of the problem

при заданных условиях — under given conditions

при нормальных условиях — at standard conditions

при определённых условиях — under certain conditions

при прочих равных условиях — other conditions being equal

при сходных условиях — under similar conditions

при условии, что... — provided that..., on condition that..., given that...

неравновесная кристаллизация
Процесс кристаллизации в условиях огранич. диффузии в тв. фазе или одноврем. в тв. и жидкой фазах. Механизм изменения состава при кристаллизации тв. р-ров в сплавах как с неогранич., так и с огранич. растворимостью по Д. А. Петрову сводится к следующему. При равновесной кристаллизации состав тв. р-ра непрерывно измен. Превращ. жидкости в тв. р-р следует рассматривать как два параллельных процесса: собственно образование кристаллов тв. р-ра при темп-ре равновесного ликвидуса и изменение состава кристаллов, образов, при более высокой температуре.
Первый процесс предполагает диффузию только в жидкой фазе (включая разделит.) и протекает сравн. легко. Второй предполагает диффузию и в тв. фазе. Он протекает медленно и при выс. скоростях охлаждения может не идти. Сохранение равновесного коэфф. распред. при полном подавлении диффузии в тв. фазе (т. е. равновесие жидкости с тв. фазой у пов-ти кристаллизации) — квазиравновесие. Огранич. диффузия в тв. фазе хар-на для кристаллизации больших масс металла (практич. всех промышл. слитков и отливок). Повышение скорости кристаллизации может привести к ограничению диффузии в жидкой фазе, а т-ж. к затвердеванию в соответствии с диаграммой метастаб. равновесия. Эти условия хар-ны для сверхбыстрой кристаллизации гранул, чешуек, очень тонких лент.
Направл. теплоотвод от пов-ти слитка определяет форму фронта кристаллизации, скорость продвижения к-рого для слитка плоской формы рассчит. решением задачи Стефана (промерзания грунта), а для слитка круглой формы — Лейбензона (промерзания нефтепровода). Различают следующие типы фронта кристаллизации: плоский, ячеистый, ячеисто-дендритный, дендритный. Для промышл. слитков и отливок наиб, типич. ячеисто-дендритный (рост столбч. зерен) и дендритный (образование и рост равноосных дендритов) фронты. В сечении слитка могут наблюдаться: три зоны (мелкозернистая структура у пов-ти, далее столбчатая с переходом в равноосную в центре слитка); две зоны (столбчатая с переходом в равноосную) и одна зона (столбчатая или равноосная по всему сечению).
Возможно образование недендритного фронта кристаллизации. Недендритная структура по всему сечению слитка м. б. получена усилением зародышеобразования в рез-те рац. выбора модификаторов или физич. методов воздействия на кристаллизацию (ультразвук, электромагн. поле и др.). В этом случае зерно является предельно мелким.
[ http://metaltrade.ru/abc/a.htm]

Тематики

• металлургия в целом

EN

• non-equilibrium solidification

плазменная металлургия
Неорганич. полупроводниковых вещ-в и материалов и изделий из них с задан. св-вами.
Возникновение этого направления м. связано с изобретением в конце 1940-х гг. полупроводникового триода (транзистора). В н. в. класс полупроводниковых вещ-в и материалов весьма обширен (см. Полупроводниковые вещества). Для их получения применяются как методы, основ, на кристаллизации расплавов, так и методы кристаллизации из паровой (газ.) фазы. Компактные слитки и изделия можно изготовлять тж. прессованием порошков, экструзией и др. известными в металлургии методами. Полупроводниковые вещ-ва могут иметь монокристаллич., поликристаллич., нанокристаллич. и аморфную структуры.
Задача обеспеч. вые. чистоты конечного продукта от неконтролир. примесей наиб, важна в произ-ве полупроводниковых материалов. При получении (синтезе) полупроводниковых материалов использ. высокочистые исх. химич. элементы или высокочистые химич. соединения. Технологич. операции при необходимости осуществл. в спец. чистых произ-венных помещениях и боксах. Соблюдаются соответст. условия технологич. гигиены. Разработаны и использ. разнообразные методы изготовления высокочистых вещ-в и материалов: ректификац. очистка, дистилляция, возгонка, очистка на ионообменных смолах, очистка методами электрохимии, кристалли-зац. методы очистки и др. Для получения высокочистых химич. элементов или вещ-в широко применяются методы водородного восстановления, термич. разложения предварит, очищ. химич. соединений. Для выращивания монокристаллов из расплавов использ. методы Чохральского, Бриджмена, бестигельной зонной плавки, горизонт, зонной плавки. Для выращивания из паровой фазы — метод сублимации, метод газотранспортных химич. реакций, метод термич. разложения паров химич. соединений и др. Слои и пленки выращ. методами газ., жидкофазной, молекулярно-лучевой эпитаксии и рядом др. способов. Технологич. процессы и оборудование, использ. в произ-ве полупроводниковых материалов, позволяют получать малодислокац., с плотностью дислокаций s 103 см~2, и бездислокац. полупроводниковые материалы с вые. однородностью св-в. Напр., монокристаллы Si выращивают бездислокац., и при диам. 200 мм неоднородность св-в не превышает 2-5 %.
Исходя из уровня требований к кач-ву продукции и тех технологич. приемов и оборудования, с помощью к-рых достигается
необх. кач-во продукции, п. м. можно отнести к прециз. По объему выпускаемой продукции — это малотоннажное произ-во. Напр., выпуск монокристаллов Si в мировом масштабе составлял в 1994 г. ок. 7500 т. На рынок кремний большей частью поступает в виде пластин, произ-во к-рых достигло в 1994 г. около 15 млрд. см², когда произв-во германия составляло ок. 100 т в год, арсенида галлия — десятки т, фосфидов индия и галлия — ед. т.
[ http://metaltrade.ru/abc/a.htm]

Тематики

• металлургия в целом

EN

• plasma metallurgy